欧洲先进FD-SOI中试线项目FAMES近来发布一项重要方案，宣告搜集选用10nm和7nm FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅技艺的芯片规划。该音讯由法国媒体ECInews首先报导，引起了业界广泛注重。据FAMES项目协调员Dominique Noguet泄漏，根据10nm FD-SOI工艺的测验芯片估计将于2027年问世。

  此制程节点将选用193nm ArFi DUV光刻机，并经过SADP自对准两层曝光技能完成，为FD-SOI工艺在先进制程节点上的打破奠定根底。FAMES中试线不只为先进FD-SOI节点供给功能评价的PDK（工艺规划套件），一起也推出了多项目晶圆（MPW）用PDK，为规划者供给高效测验环境，加快新研制技能与使用。

  除了逻辑制程，FAMES中试线还注重片上非易失性存储技能的开展，特别是在OxRAM（氧化物基阻变存储器）方面已有明显开展，且正活跃探索FRAM/FeFET（铁电存储器）及MRAM（磁性存储器）等新式存储技能。此次揭露搜集标志着欧洲在FD-SOI工艺范畴的重要开展，将推进半导体工业的活跃开展。